1) modification of the dielectric constant of silicon dioxide by means of ion implantation.

• Processo: 99/03994-8
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 18 de julho de 1999
• Data de Término da vigência: 23 de julho de 1999
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Jacobus Willibrordus Swart
• Beneficiário: Jacobus Willibrordus Swart
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Óxido de silício
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Implantacao De Ions | Oxido De Silicio | Oxinitretos | Polimetros