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Comparative study of the adsorption of C2H4 on the Si(001) and ge(001) surfaces

Processo: 01/06685-8
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
Data de Início da vigência: 04 de setembro de 2001
Data de Término da vigência: 22 de setembro de 2001
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Armando Corbani Ferraz
Beneficiário:Armando Corbani Ferraz
Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Adsorcao | Dissociacao | Passivacao | Semicondutores | Superficies
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