Formation and stability of ni(pt)si/poly-si la layered structure.

• Processo: 04/07418-1
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil
• Data de Início da vigência: 07 de setembro de 2004
• Data de Término da vigência: 11 de setembro de 2004
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Ioshiaki Doi
• Beneficiário: Ioshiaki Doi
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Microelectronics | Ni Silicide | Ni(Pt) Silicide | Poly-Si | Silicides