Structural properties of a-gecx:h alloys prepared by the rf sputteering technique.

• Processo: 96/12579-6
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 31 de março de 1997
• Data de Término da vigência: 04 de abril de 1997
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Francisco das Chagas Marques
• Beneficiário: Francisco das Chagas Marques
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Infravermelho Estresse Semicondutores amorfos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Carbeto De Germanio | Infravermelho | Semicondutores Amorfos | Stress