Study of mos capacitors with rf magnetron sputtering tiox and tioxny as gate dielectric layer

• Processo: 08/03364-5
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 23 de junho de 2008
• Data de Término da vigência: 25 de junho de 2008
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Katia Franklin Albertin Torres
• Beneficiário: Katia Franklin Albertin Torres
• Instituição Sede: Pessoa Física
• Assunto(s): Tecnologia Circuitos integrados
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Circuitos Integrados | Dieletricos De Alto K | Dispositivos Mos | Tecnologia | Dieletricos de alta constante dielétrica