On the nucleation of gap/gaas and the effect of buried stress fields.

• Processo: 05/03035-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 28 de novembro de 2005
• Data de Término da vigência: 09 de dezembro de 2005
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Mônica Alonso Cotta
• Beneficiário: Mônica Alonso Cotta
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Materiais Semicondutores Materiais nanoestruturados
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Nanomateriais | Scanning Probe Microscopy | Semiconductors | Ciência dos Materiais