1) spin dependent photoconductivity in hydrogenated a-si?ge alloys. 2) saxs and ir study of sputtered a-ge:h. 3) electronic states of a-si:h upon cs adsorption and deep defect...

• Processo: 93/02388-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 06 de setembro de 1993
• Data de Término da vigência: 10 de setembro de 1993
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Ivan Emilio Chambouleyron
• Beneficiário: Ivan Emilio Chambouleyron
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Amorfos Germânio Silício
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Amorfos | Germanio | Semicondutores | Silicio