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Temperature dependence of gama to x2 electron transfer times in type ii gaas/alas superlattices

Processo: 97/04430-5
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
Data de Início da vigência: 27 de julho de 1997
Data de Término da vigência: 01 de agosto de 1997
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Ana Maria de Paula
Beneficiário:Ana Maria de Paula
Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Dinamica De Portadores | Gaas/Alas | Interacao Eletron Fonon | Semicondutores
Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
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