Processo: | 14/15291-3 |
Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil |
Data de Início da vigência: | 01 de setembro de 2014 |
Data de Término da vigência: | 05 de setembro de 2014 |
Área do conhecimento: | Engenharias - Engenharia Elétrica - Circuitos Elétricos, Magnéticos e Eletrônicos |
Pesquisador responsável: | Salvador Pinillos Gimenez |
Beneficiário: | Salvador Pinillos Gimenez |
Instituição Sede: | Centro Universitário FEI (UNIFEI). Campus de São Bernardo do Campo. São Bernardo do Campo , SP, Brasil |
Assunto(s): | Microeletrônica |
Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Caracterização Elétrica Experimental | Diamante leiaute para MOSFETs | Efeitos da radiação ionizante em MOSFETs | OCTO leiaute para MOSFETs | Planar Power MOSFETs | Wave leiaute para MOSFETs | Microeletrônica |
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