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29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2014

Processo: 14/15291-3
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil
Data de Início da vigência: 01 de setembro de 2014
Data de Término da vigência: 05 de setembro de 2014
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Circuitos Elétricos, Magnéticos e Eletrônicos
Pesquisador responsável:Salvador Pinillos Gimenez
Beneficiário:Salvador Pinillos Gimenez
Instituição Sede: Centro Universitário FEI (UNIFEI). Campus de São Bernardo do Campo. São Bernardo do Campo , SP, Brasil
Assunto(s):Microeletrônica 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Caracterização Elétrica Experimental | Diamante leiaute para MOSFETs | Efeitos da radiação ionizante em MOSFETs | OCTO leiaute para MOSFETs | Planar Power MOSFETs | Wave leiaute para MOSFETs | Microeletrônica
Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
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