Desenvolvimento de dosimetros com diodos de si resistentes a radiacao para dosimetria de altas doses .

• Processo: 05/00258-1
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 2005
• Data de Término da vigência: 31 de maio de 2009
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física
• Pesquisador responsável: Carmen Cecília Bueno
• Beneficiário: Fabio de Camargo
• Instituição Sede: Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (IPEN). Secretaria de Desenvolvimento Econômico (São Paulo - Estado). São Paulo , SP, Brasil
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Danos De Radiagco | Diodos De Si | Dosimetria De Altas Doses | Instrumentação para medida e controle de radiação

Resumo

Este projeto de doutorado contempla o desenvolvimento de um sistema dosimétrico com diodos especiais de Si, resistentes à radiação, para medidas instantâneas de elevadas doses de radiação gama presentes no irradiador de grande porte recentemente instalado no Centro de Tecnologia das Radiações (CTR) do Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (IPEN/CNEN-SP). Os diodos que serão utilizados neste trabalho foram fabricados para o Centro Europeu de Pesquisas Nucleares (CERN), no âmbito das atividades de P&D relativas ao desenvolvimento de detectores de Si resistentes à radiação. Em função da elevada dose a que esses dispositivos serão submetidos, um estudo prévio dos possíveis danos de radiação deverá ser feito, priorizando aqueles que resultem em mudanças de suas propriedades elétricas e estruturais.Para o desenvolvimento do dosímetro está previsto também o projeto e a construção de um amplificador de corrente acoplado diretamente ao diodo. As características operacionais do sistema de amplificação, bem como a determinação do ganho em corrente e a linearidade de resposta serão investigadas em colaboração com o grupo do Laboratório de Microeletrônica da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (LME/USP). A definição dos limites de dose operacionais, reprodutibilidade e estabilidade de resposta do sistema dosimétrico a ser desenvolvido também serão objeto de investigação neste plano de doutorado.

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

CAMARGO, Fabio de. Desenvolvimento de dosímetros com diodos de Si resistentes à radiação para dosimetria de altas doses. 2009. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (IPEN/BT) São Paulo.