Desenvolvimento de dispositivos hemt (high electron mobility transistor).

• Processo: 94/02730-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 1996
• Data de Término da vigência: 30 de novembro de 1996
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
• Pesquisador responsável: Megumi Saito
• Beneficiário: Ayrton Torres de Oliveira Junior
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Técnicas de caracterização elétrica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Caracterizacao Dos Dispositivo | Caracterizacao Eletrica | Dispositivos Hemt | Laminas De Heteroestruturas | Mbe | Transporte Eletrico

Resumo

No projeto da tese são utilizadas lâminas de Heteroestruturas AlGaAs/GaAs crescidas por BEM, este processamento iniciou-se Tsukuba-Shi, japão, para fabricação de dispositivos HEMT; para tanto, foram realizadas: a caracterização elétrica das lâminas através do Efeito Hall e Shubnkov-de Haas; desenvolvimento de toda tecnologia de fabricação (primeiro desenvolvimento deste dispositivo no país); estudo de transporte elétrico ao nível de heteroestrutura, pois dispomos de lâminas com características diferentes e caracterização dos dispositivos. Os resultados deste trabalho beneficiará entidades nacionais na fabricação de dispositivos e circuitos integrados de micro-ondas e lógica rápida. (AU)