Estudo teórico-experimental da obtenção de óxidos e oxi-nitretos de porta MOS ultra-finos com interfaces planas

• Processo: 98/14110-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de março de 1999
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2003
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Sebastiao Gomes dos Santos Filho
• Beneficiário: Willian Aurelio Nogueira
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Microscopia de força atômica Contaminação Material particulado
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Contaminacao | Material Particulado | Microscopia De Forca Atomica | Oxido De Silicio | Oxi-Nitretos | Superficies

Resumo

Neste trabalho far-se-á um estudo da obtenção de camadas ultra-finas de óxido de silício (SiO2) e oxi-nitretos (SiOxNy) de alta qualidade com espessuras na faixa de 3 a 10nm e também com interfaces Si-Si02 ou Si-SiOxNy muito planas de forma a se obter características elétricas de porta melhoradas compatíveis com altíssima escala de integração para circuitos integrados (GSI: Giga Scale Integration) e também compatíveis com o processo de fabricação de diodos túnel e células solares de alto desempenho. O controle de qualidade consistirá em obter-se camadas e óxido de silício com baixa contaminação de metais e partículas tendo em vista estabelecer baixos níveis de densidade de cargas no óxido e ruptura da rigidez dielétrica do tipo "intrínseco" (campo de ruptura maior ou igual a 13MV/cm). (AU)