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Propriedades eletrônicas e de transporte do fosforeno

Processo: 15/12974-5
Modalidade de apoio:Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Pós-Doutorado
Data de Início da vigência: 17 de agosto de 2015
Data de Término da vigência: 16 de junho de 2016
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Ana Luiza Cardoso Pereira
Beneficiário:Carlos Jose Paez Gonzalez
Supervisor: Eduardo Mucciolo
Instituição Sede: Faculdade de Ciências Aplicadas (FCA). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Limeira , SP, Brasil
Instituição Anfitriã: University of Central Florida (UCF), Estados Unidos  
Vinculado à bolsa:12/19060-0 - Quebra de degenerescência de vales (pseudo-spin) em mono e multicamadas de grafeno: Efeitos de desordem sobre as propriedades eletrônicas e de transporte, BP.PD
Assunto(s):Fosforeno   Propriedades eletrônicas   Materiais bidimensionais
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Desordem | Fosforeno | Funções de Green Recursivas | Localização Eletrônica | tight-Binding | Transporte | materiais 2D: fosforeno e grafeno

Resumo

O fosforeno é um dos novos materiais bidimensionais recentemente descobertos, porém com a vantagem em relação ao grafeno de apresentar um gap natural e ajustável, o que lhe confere grande potencial para aplicações em nanoeletrônica. Neste projeto de pesquisa, serão estudadas as propriedades eletrônicas e de transporte do fosforeno. O projeto envolve o desenvolvimento, implementação e otimização do método recursivo das funções de Green para investigar as propriedades do fosforeno na presença de diferentes tipos de desordem, assim como de campos elétricos ou magnéticos. O fosforeno tem sido objeto de enorme interesse recentemente, desde que abriu esta possibilidade para a pesquisa de uma nova geração de dispositivos eletrônicos, alternativa à estabelecida tecnologia baseada em silício.

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Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
PAEZ, CARLOS J.; DELELLO, KURSTI; DUY LE; PEREIRA, ANA L. C.; MUCCIOLO, EDUARDO R.. Disorder effect on the anisotropic resistivity of phosphorene determined by a tight-binding model. PHYSICAL REVIEW B, v. 94, n. 16, p. 10-pg., . (15/12974-5)
PAEZ, CARLOS J.; DELELLO, KURSTI; LE, DUY; PEREIRA, ANA L. C.; MUCCIOLO, EDUARDO R.. Disorder effect on the anisotropic resistivity of phosphorene determined by a tight-binding model. Physical Review B, v. 94, n. 16, . (15/12974-5)