Espectroscopia terahertz ultrarrápida aplicada ao estudo das propriedades de transporte em semicondutores bulk e nanométricos

• Processo: 25/00065-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de março de 2025
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2026
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Jonathas de Paula Siqueira
• Beneficiário: Luís Felipe Reis de Souza
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 22/03035-9 - Desenvolvimento de fontes de pulsos ultracurtos no ultravioleta de vácuo e terahertz para espectroscopia de materiais avançados, AP.PNGP.PI
• Assunto(s): Espectroscopia ultrarrápida Fotocondutividade Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Espectroscopia Ultrarrápida | fotocondutividade | laser de femtosegundos | óptica ultrarrápida | semicondutores | Terahertz | Espectroscopia Ultrarrápida

Resumo

Neste projeto de mestrado, o aluno utilizará as técnicas espectroscópicas THz-TDS (terahertz time domain spectroscopy) e OPTP (optical pump terahertz probe) para investigar a dependência espectral da condutividade óptica complexa (partes real e imaginária) em sistemas semicondutores (bulk, quantum dots, nanofios e bidimensionais). Além disso, serão realizados estudos para determinar o espectro da fotocondutividade das amostras, avaliando suas propriedades de transporte eletrônico sob fotoexcitação.A análise da dependência espectral da condutividade óptica complexa e da fotocondutividade será fundamental para a obtenção de parâmetros relevantes na descrição do comportamento eletrônico desses materiais. Esses resultados poderão fornecer informações essenciais para compreender e otimizar o desempenho eletrônico e óptico desses sistemas, viabilizando sua aplicação em dispositivos optoeletrônicos avançados.