Adsorção e dissociação molecular nos processos de passivação de superfícies semicondutoras

• Processo: 02/01356-9
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 2002
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 2003
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Armando Corbani Ferraz
• Beneficiário: Fernando de León Pérez
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Adsorcao | Dissociacao | Funcional | Passiovacao | Pseudopotencial | Superficies

Resumo

Estudo dos processos microscópicos relacionados à adsorção/dissociação de átomos e moléculas sobre superfícies semicondutoras, determinando seu papel precursor na formação de interfaces, crescimento epitaxial e passivação de superfícies. Em particular, estaremos verificando a ação dos agentes passivadores (NH4)2S e (NH2)2CS sobre as superfícies GaAs(001) e InP(001). Adicionalmente, será estudado a adsorção da acrilonitrila sobre Si(001) como precursora da formação de complexos orgânicos sobre o silício. (AU)