Síntese de nano e microestruturas de InN e GaN em silício

• Processo: 05/00495-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de outubro de 2005
• Data de Término da vigência: 30 de junho de 2008
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Newton Cesario Frateschi
• Beneficiário: Luis Alberto Mijam Barea
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Materiais nanoestruturados Microestruturas Silício Nitreto de gálio Epitaxia por feixe molecular
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Cbe | Nicro E Nano Estruturas | Nitreto De Galio | Nitreto De Indio | Sintese de micro e nanoestruturas

Resumo

Estudaremos a síntese de nano e micro-estruturas de InN e GaN em substratos de Silício por epitaxia de feixes químicos (CBE) e subsequente nitretação por plasma de ressonância ciclotrônica (ECR).