Rota quimica para a sintese de filmes finos de pb0,30caxsrytio3: caracterizacao estrutural e eletrica.

• Processo: 09/53433-6
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de janeiro de 2010
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2011
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
• Pesquisador responsável: Fenelon Martinho Lima Pontes
• Beneficiário: Amanda Fernandes Gouveia
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
• Assunto(s): Propriedades elétricas Síntese química Filmes finos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Estrutura Perovskite | Filmes Finos | Propriedades Eletricas | Sintese Quimica | Temperaturas Transicao Fase

Resumo

Neste projeto de iniciação científica serão preparadas amostras do sistema Pb0.30CaxSryTiO3 (PCST) com x - 0,40, 0,50, e 0,60 e y = 0,30, 0,20, 0,10, utilizando-se o método dos precursores poliméricos e, a partir desse material, produzir amostras cerâmicas e filmes finos nanoestruturados e caracterizar suas propriedades estruturais, micro-estruturais e elétricas. A caracterização estrutural será realizada utilizando as técnicas de difração de raios X, espectroscopia Raman e espectroscopia na região do infravermelho, Os filmes finos serão preparados pela técnica "spin-coating" sobre substrato de Si/SiO2/Ti/Pt. Será verificado a possível incorporação de dois diferentes íons (Ca2+ e Sr2+) no sitio A, em substituição aos íons Pb2+ para o sistema Pb0.30CaxSryTiO3 na forma de filme fino e pó, sem que ocorra a separação de fases tais como PbTiO3, CaTiO3, SrTiO3, ou até mesmo fase complexas como (Pb,Sr)TiO3 ou (Pb,Ca)TiO3. Os sítios A localizam-se dentro de um dodecaedro (AO12) de doze oxigênios enquanto o sitio B no interior de um octaedro regular (BO6) constituído de oito oxigênios. Portanto, espera-se que as distorções ocorridas nestas estruturas produziram importantes mudanças e surgimento de novas propriedades elétricas que encadeiam grande interesse tecnológico e científico. (AU)