Tecnicas de simulacao computacional estatica para o estudo de defeitos em estruturas cristalinas.

• Processo: 99/07327-6
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de janeiro de 2000
• Data de Término da vigência: 31 de agosto de 2000
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Ana Regina Blak
• Beneficiário: Vladimir Gobbi Junior
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Simulação por computador Defeitos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Agregados De Defeitos | Cristais Ionicos | Defeitos | Dipolos | Simulacao Computacional

Resumo

A simulação computacional estática será utilizada no estudo de defeitos em estruturas cristalinas, para calcular as energias de formação e de ligação dos defeitos assim como as energias associadas aos processos de migração, captura, e ionização de portadores de carga. Serão utilizados os programas HADES (Harwell Automatic Defect Evaiuation System) e GULP (General Utility Lattice Program) fundamentados na Aproximação de Mott-Littleton e na estratégia de duas regiões. O sucesso da técnica depende da especificação de um modelo de potencial no cálculo da energia do sistema em função das coordenadas das partículas. Os programas de ajustes de potencial, de curto alcance PLUTO (PerfectLattice Unrestricted Testing Operation), Ceres (Subrotina do programa PLUTO) e ELECTRON-GAS (Herskill, Expand e Wedephol) permitem a determinação dos parâmetros dos potenciais, sejam eles na forma de Bom-Mayer. Lennard-Jones ou Buckingham. Através da análise detalhada das energias de formação dos defeitos, é possível decidir-se sobre a viabilidade da existência de um defeito. (AU)