Estudo de filmes a base de sno2 visando aplicacao como varistor de baixa tensao.

• Processo: 05/55139-7
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 2005
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2007
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica
• Pesquisador responsável: Maria Aparecida Zaghete Bertochi
• Beneficiário: Ederson Miranda dos Santos
• Instituição Sede: Instituto de Química (IQ). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Araraquara. Araraquara , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 04/14932-3 - Influência da texturização e de defeitos cristalinos nas propriedades ferroelétricas de filmes finos e cerâmicos, AP.TEM
• Assunto(s): Óxido de estanho Degradação
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Barreira De Potencial | Degradacao | Dopantes | Oxido De Estanho | Varistor De Oxido De Titanio | Varistores De Baixa Tensao

Resumo

Os varistores de SnO2 possuem vantagens em relação aos de ZnO como microestrutura mais simples e resistência a degradação. No entanto, têm-se algumas dificuldades para fabricar varistores de SnO2, visando sua aplicação em microeletrônica (baixas tensões). Desta forma pretende-se preparar filmes à base de SnO2 dopado com os óxidos geradores de propriedades varistoras. Os filmes serão depositados em substratos de Silício/Platina, ITO e alumina, tratados termicamente em diferentes atmosferas, com o objetivo de estudar a influência do eletrodo inferior e da atmosfera nas propriedades elétricas e microestruturais. Os materiais serão preparados por duas metodologias: (1) O pó obtido por mistura de óxidos será suspenso em uma resina orgânica, para controlar a viscosidade e (2) Método dos Precursores Poliméricos (Pechini). Os filmes obtidos serão caracterizados morfológica e estruturalmente pelas técnicas DRX e MEV/EDS. Em relação às propriedades elétricas serão feitas medidas em corrente contínua para a determinação das curvas E vs J (Campo elétrico vs densidade de corrente) e cálculos dos parâmetros associados como: coeficiente de não-linearidade (α), campo elétrico de ruptura (Er), corrente de fuga (If) e voltagem por barreira (Vg). Espectroscopia de impedância será utilizada para calcular parâmetros como altura (fb) e largura (W) da barreira de potencial formada no contorno de grão, densidade de portadores de carga livre (Nd), densidade de estados superficiais (Ns) e resistência do contorno de grão entre outros. (AU)