| Processo: | 03/05398-0 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Iniciação Científica |
| Data de Início da vigência: | 01 de setembro de 2003 |
| Data de Término da vigência: | 30 de junho de 2004 |
| Área de conhecimento: | Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação |
| Pesquisador responsável: | Victor Sonnenberg |
| Beneficiário: | Cesar Augusto Alves de Souza |
| Instituição Sede: | Faculdade de Tecnologia São Paulo (FATEC São Paulo). Centro Paula Souza (CEETEPS). Secretaria de Desenvolvimento Econômico (São Paulo - Estado). São Paulo , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Silício policristalino |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Capacitor Mos | Curva C-T | Curva C-V | Silicio Policristalino |
Resumo Neste trabalho serão fabricados capacitores MOS com porta de silício policristalino em várias condições de oxidação e limpeza química. Serão realizadas medidas da curva capacitância-tensão (C-V) e capacitância-tempo (C-t) destes capacitores para caracterizar a qualidade dos dispositivos e, principalmente, para as diversas condições de processamento (oxidação/limpeza) para a otimização do mesmo. (AU) | |
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