Estudos e desenvolvimento de processos de deposição química a vapor enriquecida por plasma utilizando organo-silanos como reagentes

• Processo: 02/08724-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de dezembro de 2002
• Data de Término da vigência: 31 de maio de 2005
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
• Pesquisador responsável: Nicole Raymonde Demarquette
• Beneficiário: Andre Fabricio Sakata
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Plasma (microeletrônica) Reagentes
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Al203 | Hmds | Plasma

Resumo

O presente trabalho visa à modificação superficial de alumina (Al2O3) por PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) utilizando como reagente HMDS e n-hexano no objetivo de tornar a Al2O3 hidrofóbica sem mudar a sua porosidade. A cerâmica poderá então ser utilizada como membrana separadora. Ensaios preliminares foram conduzidos no Departamento de Engenharia Metalúrgica e de Materiais e observou-se que é possível modificar a superfície de papel para os mesmos fins. Contudo o papel não possui resistência mecânica. Espera-se que a cerâmica em questão responda ao tratamento de forma idêntica ao papel, pois em outro trabalho foi demonstrado que deposição de HMDS por plasma pode aderir a cerâmicas. O processo de plasma será otimizado. Os filmes depositados serão caracterizados quanto a sua aderência ao substrato, hidrofobicidade (ângulo de contato), permeabilidade (Cobb), permeabilidade ao mercúrio, capacidade de separação óleo/água. Este projeto será desenvolvido pelo aluno André Fabrício Sakata, aluno do segundo ano de engenharia G. A. Química da Escola Politécnica da USP sob supervisão da Profª Drª Nicole R. Demarquette do Departamento de Engenharia Metalúrgica e de Materiais da Escola Politécnica da USP. O projeto está vinculado ao projeto FAPESP 01/05382-1. (AU)