Efeito kondo em pontos quanticos semicondutores autoformados.

• Processo: 01/06377-1
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 2001
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2002
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Eduardo Miranda
• Beneficiário: Luis Carlos Ogando Dacal
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Pontos quânticos Efeito Kondo Estrutura eletrônica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Efeito Kondo | Estrutura Eletronica | Heteroestuturas Semicondutoras | Pontos Quanticos

Resumo

Este projeto visa estudar as características ópticas do efeito Kondo em pontos quânticos semicondutores autoformados. O trabalho pretende obter os parâmetros para crescimento da amostra e calcular a densidade de estados de um sistema essencialmente constituído por um elétron confinado em um ponto quântico autoformado acoplado a um gás de elétrons presente em um poço quântico dopado. O suporte experimental do trabalho será fornecido pelo mapeamento desta densidade de estados através de medidas do espectro óptico espacialmente resolvidas. Estas não serão medidas diretas da densidade de estados, mas sofrem forte influência da mesma. (AU)