Estudo eletrico e microestrutural de sistemas policristalinos a base de sno2.coo e sno2.mno2.

• Processo: 05/55467-4
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 2005
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2007
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
• Pesquisador responsável: Paulo Roberto Bueno
• Beneficiário: Mônica Aparecida dos Santos
• Instituição Sede: Instituto de Química (IQ). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Araraquara. Araraquara , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 02/06693-3 - Estudos de materiais cerâmicos para energia limpa: dispositivos fotoeletroquímicos e baterias de íons lítio, AP.JP
• Assunto(s): Semicondutores Dióxido de estanho Varistores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Barreira Schottky | Semicondutores | Sistemas Policristalinos | Sno2 | Varistor

Resumo

A barreira de potencial em sistemas policristalinos à base de SnO2.CoO e SnO2.MnO2. Tais sistemas policristalinos são importantes porque ambos são extremamente densos e podem ser utilizados como cerâmicas eletro-eletrônicas não-ôhmicas (varistores). Embora ambos sistemas sejam densos com formação de solução sólida para valores de CoO e MnO2 menores que 1,0% em mol, há diferenças importantes tanto no que se refere aos níveis energéticos do semicondutor, como também microestrutural no que se refere a formação de barreiras ativas efetivas. Os sistemas à base de SnO2.CoO possuem barreiras ativas efetivas em grande quantidade e uniformemente distribuídas, enquanto que por sua vez o sistema SnO2.MnO2 apresenta um comportamento inverso no que diz respeito a estas características. Mediante a preparação de diferentes composições dos sistemas de SnO2.CoO e SnO2.MnO2, objetiva-se neste trabalho estudar a origem destas diferenças mais detalhadamente por meio de uma análise a profundada por espectroscopia de admitância/impedância. A origem é microestrutural com conseqüências para a química da interface, afetando a natureza de formação da barreira de potencial em cada um dos sistemas, o que também é uma das informações que se pretende analisar peias análises de espectroscopia de admitância/impedância. (AU)