Propriedades optoelectronicas de ligas amorfas hidrogenadas depositadas por feixe ionico.

• Processo: 98/07541-5
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 1998
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2000
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Peter Hammer
• Beneficiário: Peter Hammer
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 97/12069-0 - Propriedades estruturais, ópticas e de transporte em semicondutores amorfos, AP.TEM

Resumo

O objetivo específico do plano se orienta a estudar as propriedades estruturais, ópticas, mecânicas e de transporte dos sistemas amorfos a-CNx, a-CNx:H e a-SiC:H e sua relação com os parâmetros característicos de deposição. O projeto visa também a determinar condições mais favoráveis para a propagação da conectividade das ligas estudadas otimizando então estrutura das ligações químicas para melhorar propriedades optoelectrônicas e mecânicas. No relacionado às propriedades mecânicas, estudaremos os parâmetros elásticos (dureza e módulo de Young) em função da energia e momento transferidos por átomo do elemento depositado. (AU)