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Propriedades eletronicas, opticas e de impurezas em heteroestruturas semicondutoras sob a acao de campos externos.

Processo: 95/02856-0
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Data de Início da vigência: 01 de julho de 1996
Data de Término da vigência: 30 de junho de 1997
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Alexys Bruno Alfonso
Beneficiário:Alexys Bruno Alfonso
Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Assunto(s):Poços quânticos   Impurezas
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Impurezas | Pocos Quanticos

Resumo

O trabalho de pesquisa a ser realizado consiste no estudo de propriedades eletrônicas e de impurezas e sua correlação com propriedades ópticas e de transporte em semicondutores e heteroestruturas semicondutoras. (AU)

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