Estudo das propriedades físicas de impurezas profundas em silício

• Processo: 94/00811-6
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Data de Início da vigência: 18 de maio de 1994
• Data de Término da vigência: 17 de maio de 1996
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Lucy Vitoria Credidio Assali
• Beneficiário: Lucy Vitoria Credidio Assali
• Pesquisador Anfitrião: Lionel C. Kimerling
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Instituição Anfitriã: Massachusetts Institute of Technology (MIT), Estados Unidos
• Assunto(s): Difusão Silício
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Difusao | Estrutura Microscopica | Excitacao Optica | Impurezas Profundas | Passivacao | Silicio

Resumo

As alterações causadas nas propriedades de um semicondutor quando impurezas são incorporadas resultam em revolucionárias aplicações tecnológicas. Uma delas é o conhecimento das propriedades do Er+3 em silício como dispositivo óptico para comunicação em fibras ópticas. Outra seria o conhecimento das propriedades do H como agente passivador de defeitos e impurezas. Nosso plano tem como objetivo estudar teoricamente estes centros para tentar elucidar o mecanismo responsável pela emissão do centro Si:Er e a utilização do H como responsável pelo retardamento da degradação de dispositivos. (AU)