Crescimento e caracterização de nanoestruturas semicondutoras do grupo III-V

• Processo: 03/13050-4
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Data de Início da vigência: 12 de abril de 2004
• Data de Término da vigência: 11 de setembro de 2004
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Euclydes Marega Junior
• Beneficiário: Euclydes Marega Junior
• Pesquisador Anfitrião: Gregory J Salamo
• Instituição Sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
• Instituição Anfitriã: University of Arkansas, Estados Unidos
• Assunto(s): Pontos quânticos Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Crescimento Epitaxial | Materiais Nanoestruturados | Pontos Quanticos | Semicondutores

Resumo

O projeto tem como o objetivo o crescimento de pontos quânticos (QD) de InAs sobre substratos desorientados de GaAs, através da técnica de epitaxia por feixes moleculares e a sua caracterização in situ através de microscopia de tunelamento em alto-vácuo. O plano foi elaborado para atender o período máximo de concessão de 5 meses. Neste, estamos propondo o estudo da evolução da forma de QD empilhados, crescidos no plano (311)A. Os benefícios para as pesquisas realizadas em São Carlos serão imediatas, já que os conhecimentos adquiridos no período da estada poderão ser implementados imediatamente. Conforme mencionado na carta convite, o laboratório anfitrião poderá acrescentar fundos a minha estada, estendendo o período de permanência. (AU)