Busca avançada
Ano de início
Entree

Crescimento e caracterização de nanoestruturas semicondutoras do grupo III-V

Processo: 03/13050-4
Modalidade de apoio:Bolsas no Exterior - Pesquisa
Data de Início da vigência: 12 de abril de 2004
Data de Término da vigência: 11 de setembro de 2004
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Euclydes Marega Junior
Beneficiário:Euclydes Marega Junior
Pesquisador Anfitrião: Gregory J Salamo
Instituição Sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
Instituição Anfitriã: University of Arkansas, Estados Unidos  
Assunto(s):Pontos quânticos   Semicondutores
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Crescimento Epitaxial | Materiais Nanoestruturados | Pontos Quanticos | Semicondutores

Resumo

O projeto tem como o objetivo o crescimento de pontos quânticos (QD) de InAs sobre substratos desorientados de GaAs, através da técnica de epitaxia por feixes moleculares e a sua caracterização in situ através de microscopia de tunelamento em alto-vácuo. O plano foi elaborado para atender o período máximo de concessão de 5 meses. Neste, estamos propondo o estudo da evolução da forma de QD empilhados, crescidos no plano (311)A. Os benefícios para as pesquisas realizadas em São Carlos serão imediatas, já que os conhecimentos adquiridos no período da estada poderão ser implementados imediatamente. Conforme mencionado na carta convite, o laboratório anfitrião poderá acrescentar fundos a minha estada, estendendo o período de permanência. (AU)

Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre a bolsa:
Mais itensMenos itens
Matéria(s) publicada(s) em Outras Mídias ( ):
Mais itensMenos itens
VEICULO: TITULO (DATA)
VEICULO: TITULO (DATA)