| Processo: | 95/02671-0 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Exterior - Pesquisa |
| Data de Início da vigência: | 30 de agosto de 1995 |
| Data de Término da vigência: | 28 de fevereiro de 1997 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Jose Humberto Dias da Silva |
| Beneficiário: | Jose Humberto Dias da Silva |
| Pesquisador Anfitrião: | Craig Taylor |
| Instituição Sede: | Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil |
| Instituição Anfitriã: | University of Utah (U), Estados Unidos |
| Assunto(s): | Fotoluminescência Semicondutores |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Excitacao Abaixo Do Gap | Filmes Semicondutores | Fotoluminescencia | Odesr | Semicondutores Amorfos | Silicio Amorfo Hidrogenado |
Resumo Neste estágio visamos empregar as técnicas de fotoluminescência e ressonância de spin eletrônico opticamente detectada, a energias de excitação menores que o gap, ao estudo de filmes de silício amorfo hidrogenado, e possivelmente outros semicondutores amorfos. Os materiais serão preparados em diferentes condições e serão sujeitos a tratamentos térmicos. Os resultados buscados, juntamente com outras pesquisas recentes do grupo de Utah, permitirão o estudo detalhado dos processos de recombinação dos materiais de interesse. (AU) | |
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