Below gap excitation of optical processes in amorphus semiconductors

• Processo: 95/02671-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Data de Início da vigência: 30 de agosto de 1995
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 1997
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Jose Humberto Dias da Silva
• Beneficiário: Jose Humberto Dias da Silva
• Pesquisador Anfitrião: Craig Taylor
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
• Instituição Anfitriã: University of Utah (U), Estados Unidos
• Assunto(s): Fotoluminescência Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Excitacao Abaixo Do Gap | Filmes Semicondutores | Fotoluminescencia | Odesr | Semicondutores Amorfos | Silicio Amorfo Hidrogenado

Resumo

Neste estágio visamos empregar as técnicas de fotoluminescência e ressonância de spin eletrônico opticamente detectada, a energias de excitação menores que o gap, ao estudo de filmes de silício amorfo hidrogenado, e possivelmente outros semicondutores amorfos. Os materiais serão preparados em diferentes condições e serão sujeitos a tratamentos térmicos. Os resultados buscados, juntamente com outras pesquisas recentes do grupo de Utah, permitirão o estudo detalhado dos processos de recombinação dos materiais de interesse. (AU)