Superfície de semicondutores II-VI

• Processo: 95/02723-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Data de Início da vigência: 05 de agosto de 1995
• Data de Término da vigência: 04 de setembro de 1995
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Armando Corbani Ferraz
• Beneficiário: Armando Corbani Ferraz
• Pesquisador Anfitrião: G. P. Srivastava
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Instituição Anfitriã: University of Exeter, Exeter, Inglaterra
• Assunto(s): Semicondutores Superfície física Estrutura eletrônica Métodos ab initio
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Calculos "Ab Initio" | Estrutura Eletronica | Interfaces | Semicondutores | Superficies

Resumo

Desenvolvimento de projetos relacionados ao estudo teórico de Superfícies Semicondutores junto ao grupo do Prof. G. P. Srivastava da Universidade de Exeter (Inglaterra), pelo período de 1 mês. Especificamente estaremos estudando adsorção de átomos em superfícies do grupo II-VI, que tem sua reconstrução muito marcada pela ionicidade da superfície e inclusão da "correção de caroço" aos cálculos da estrutura eletrônica relacionada. Participação, também, na "15th European Conference on Surface Science" com o trabalho "Atomic and Electronic Structures of Te Adsorbed on GaAs and InAs (100)". (AU)