| Processo: | 00/07137-1 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Mestrado |
| Data de Início da vigência: | 01 de março de 2001 |
| Data de Término da vigência: | 28 de fevereiro de 2003 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Adalberto Fazzio |
| Beneficiário: | Jose Carrijo de Faria Junior |
| Instituição Sede: | Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Semicondutores Simulação de dinâmica molecular |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Dinamica Molecular | Semicondutores | Superificie |
Resumo A adsorção e difusão de Ge em Si(100) são processos importantes para o entendimento dos estágios iniciais de crescimento heteroepitaxial. O crescimento de Ge em Si(100) tem atraído muita atenção não só pelo interesse fundamental em se entender crescimento heteroepitaxial do ponto de vista microscópico, mas também devido ao grande interesse tecnológico em ligas de SiGe. Recentemente nós mostramos que os graus de liberdade associados aos dímeros da superfície de Si(100) são essenciais para a descrição da adsorção e difusão de átomos de Ge em Si(100). Desta forma, torna-se essencial para a descrição teórica da adsorção e difusão de Ge em Si(100) que o movimento do átomo de Ge seja tratado no mesmo nível que o movimento dos dímeros de Si. A presente abordagem para estudar esse problema satisfaz esse critério. O objetivo será a realização de simulações de dinâmica molecular, utilizando métodos de primeiros princípios (Car-Parrinello com temperatura), para estudar a dinâmica de adsorção e difusão de um monômero de Ge em Si(100). (AU) | |
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