Estrutura eletrônica e dinâmica de portadores em estruturas de baixa dimensionalidade

• Processo: 97/13048-7
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de março de 1998
• Data de Término da vigência: 29 de fevereiro de 2000
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Maria José Santos Pompeu Brasil
• Beneficiário: Ivan Rasnik Favotto
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Poços quânticos Pontos quânticos Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dinamica Dos Portadores | Fio Quantico | Poco Quantico | Ponto Quantico | Semicondutores

Resumo

O objetivo deste projeto é investigar as propriedades eletro-óticas de estruturas semicondutoras de baixas dimensionalidades. Este trabalho será desenvolvido em fios e pontos quânticos crescidos por Chemical Beam Epitaxy (CBE). Analisaremos especialmente a dinâmica de recombinação dos portadores nestas estruturas. Utilizaremos diversas técnicas de espectroscopia ótica, entre elas, a fotoluminescência, a fotoluminescência de excitação, a magneto-luminescência e a fotoluminescência resolvida no tempo. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

FAVOTTO, Ivan Rasnik. Confinamento e localização nas propriedades ópticas de heteroestruturas semicondutoras. 2000. Tese de Doutorado - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin Campinas, SP.