Propriedades fotoeletroquímicas da poli(anilina)

• Processo: 93/00245-8
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 1993
• Data de Término da vigência: 30 de junho de 1997
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Química - Química Orgânica
• Pesquisador responsável: Marco-Aurelio de Paoli
• Beneficiário: Silmara das Neves
• Instituição Sede: Instituto de Química (IQ). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Desbaste Desenvolvimento de novos materiais Polímeros condutores Polianilina Fosfeto de índio
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Etching | Inp | Semicondutores Iii-V

Resumo

O nosso objetivo é estudar, a princípio, o desbaste químico do substrato de InP com solução de HCl e H3PO 4, verificando e procurando compreender as alterações químicas provocadas pelo etching na superfície do semicondutor, e as consequências nas etapas posteriores do processamento do dispositivo. Utilizaremos um conjunto de técnicas de análise de superfície. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

NEVES, Silmara das. Propriedades fotoeletroquimicas da polianilina. 0000. Tese de Doutorado - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Química Campinas, SP.