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Cristalizacao do germanio amorfo induzida por aluminio em estruturas multicamadas.

Processo: 04/11656-5
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Mestrado
Data de Início da vigência: 01 de março de 2005
Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2007
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:IVAN EMILIO CHAMBOULEYRON
Beneficiário:Lucas Romano Muniz
Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Assunto(s):Alumínio
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Aluminio | Cristalizacao Induzida | Estruturas Multicamadas | Germanio Amorfo

Resumo

Estudo dos mecanismos microscópicos da cristalização a baixa temperatura de semicondutores amorfos induzida por metais. Filmes de germânio amorfo depositados sobre camadas finas de alumínio serão recozidas e estudadas com espectroscopia Raman e de transmissão infravermelho. A espessura da camada de alumínio será constante para todas as amostras, mas as camadas de germânio amorfo depositadas sobre o metal serão de espessura variável, entre 30 e 2500 nm aproximadamente. Pretende se desta maneira encontrar a relação entre a quantidade de alumínio presente durante o recozimento e o grau de cristalização obtido a diferentes temperaturas de recozimento. Outrossim, o estudo busca relacionar esta cristalização parcial com o tamanho dos nanocristais no filme. Os efeitos da natureza do substrato sobre os mecanismos de cristalização serão apreciados depositando as estruturas multicamadas sobre substratos de vidro Corning e sobre silício cristalino. Este projeto tem interesse tanto científico quanto tecnológico para a eletrônica de baixas temperaturas compatíveis com substratos de materiais orgânicos e para entender a dinâmica de formação de nano-estruturas. (AU)

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Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
MUNIZ, Lucas Romano. Cristalização do germânio amorfo pelo alumínio: caracterização por espectroscopia Raman. 2007. Dissertação de Mestrado - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin Campinas, SP.