Resumo
O presente projeto tem como objetivo produzir e caracterizar transistores de efeito de campo baseados em um único nanofio ou em vários nanofios monocristalinos metálicos e semicondutores de In2O3 e SnO2. Para isso, deve-se empregar técnicas de fotolitografia e eletrolitografia para a definição dos contatos metálicos fundamentais para os experimentos de caracterização dos dispositivos. Alé…