Resumo
Dispositivos à base de GaN tem contribuído em anos recentes para o desenvolvimento da nanofotônica, de nanosensores, e spintrônica. As nanoestruturas de GaN utilizadas nessas tecnologias são geralmente crescidas usando epitaxia por feixe molecular ou deposição química de vapor. Como alternativa, propõe-se neste trabalho desenvolver a técnica de sputtering reativo com implementações para …