CV Lattes
Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET) (Instituição Sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Graduado em Física pela Universidade Estadual de Campinas (1973), com mestrado em Física pela Universidade Estadual de Campinas (1976) e doutorado em Física pela Universidade Estadual de Campinas (1980). Nos anos 1981 e 1982 desenvolveu atividades de Pós-doutorado junto ao Laboratório de Pesquisas em Dispositivos (IFGW-Unicamp). Atualmente é professor associado 4 da Universidade Federal de São Carlos. Foi responsável pela instalação do Laboratório de Semicondutores do Departamento de Física da UFSCar. Desenvolve pesquisas com ênfase em Física da Matéria Condensada, atuando principalmente nos seguintes temas: espectroscopia Raman, materiais semicondutores, nano-estruturas semicondutoras (super-redes e pontos quânticos). (Fonte: Currículo Lattes)
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O plano consiste de duas partes. A primeira refere-se à investigação do espectro vibracional de estruturas com pontos quânticos semicondutores auto-organizados de InAs e de AlAs, preparados na instituição de origem do pesquisador visitante. A espectroscopia de infravermelho (FTIR) e a espectroscopia Raman serão utilizadas nesta investigação. A segunda parte será devotada ao estudo da anis…
0 tema central deste projeto é a caracterização das propriedades ópticas e elétricas de materiais semicondutores crescidos artificialmente, com especial ênfase para as estruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade (superredes, poços e pontos quânticos). Para tanto, quatro técnicas já implantadas no Laboratório de Semicondutores do DF-UFSCar deverão ser aplicadas: Espectroscopia Rama…
Pretende se analisar heteroestruturas ferromagnéticas digitais (DFH) - que são semicondutores magnéticos diluídos onde os momentos magnéticos estão organizados em camadas de forma periódica - utilizando a técnica de espectroscopia Raman. Em especial, deveremos estudar a composição (ou desordem composicional) da interface LT- GaAs/MnAs. Tal caracterização pode ser feita através da espectro…
Serão investigadas por espectroscopia Raman, as propriedades de superredes (SL's) semicondutoras composicionais do padas uniformemente (GaAS/AlAs) e SL's de dopagem S (GaAs:Ssi). No caso das SL's composicionais, pretendemos por exemplo, obter evidências s/ o caráter dimensional do transporte por minibandas (1D ou 3D). Quando às SL's S-depandas, a condutividade elétrica vertical deverá ser…
A análise do arranjo em escala atômica das interfaces em super-redes semicondutores deverá ser realizada através da verificação de suas propriedades vibracionais. O processo cinético de segregação deverá ser levado em conta para a obtenção de perfis destas interfaces. Serão estudadas super-redes de GaAs/AIAs, InAs/GaAs, GaSb/AlSb e Alx1In1-x1As/AlxIn1-xAs. (AU)
| 13 | Auxílios à pesquisa concluídos |
| 3 | Bolsas no país concluídas |
| 16 | Todos os Auxílios e Bolsas |
| Processos vinculados | |