Resumo
O objetivo deste projeto é investigar a dinâmica dos portadores em heteroestruturas de semicondutores, com ênfase no fenômeno de tunelamento. A dinâmica dos portadores será investigada através da técnica de fotoluminescência ultra-rápida resolvida no tempo utilizando um poço quântico como marcador ótico. Este trabalho será desenvolvido em estruturas de GaAs/InGaAs/InGaP crescidas por Meta…