Resumo
Neste projeto, pretendemos investigar as propriedades ópticas e estruturais de pontos quânticos tipo-II de InP/GaAs crescidos por MOCVD e CBE. Estes conjuntos de amostras permitirão investigar através da técnica de fotoluminescência (micro- e macro-), no regime contínuo e resolvido no tempo, os efeitos da separação espacial, existente em estruturas tipo-II entre o elétron e o buraco fotoc…