Resumo
O crescimento de estruturas semicondutoras complexas é atualmente dominado através do uso de técnicas como M.B.E. Pretendemos modelizar as condições (determinação de parâmetros mais adaptados) para o crescimento de super-redes do tipo S-doped onde se possa buscar efeitos como N.D.V. e/ou N.D.C. (velocidade diferencial negativa e condutância diferencial negativa), em experimentos de transp…