Resumo
O presente projeto de pesquisa tem como objetivo principal, o crescimento de hetero-estruturas que servirão para a fabricação de um dispositivo emissor de luz a partir de pontos quânticos naturais de InAs/GaAs(n11)A (n=1;2 e 3), utilizando-se somente o Silício como dopante durante o processo de crescimento por Epitaxia por Feixes Moleculares. Visando a obtenção do dispositivo serão determ…