CV Lattes
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW) (Instituição Sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Renata Villela Orloski em auxílios à pesquisa e bolsas apoiadas pela FAPESP.
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Neste projeto, pretende-se realizar a caracterização dos defeitos gerados na rede cristalina de materiais semicondutores, como por exemplo, Si e GaAs, pelo processo de implantação iônica, utilizando técnicas de difração de raios-X em geometrias de alta resolução. Análises com curvas de rocking, difratometria de triplo-eixo e principalmente a difração múltipla de raios-X serão realizadas, …
Determinação semiempírica da força dos osciladores ponderados para as transições atômicas dos espectros do silício sete e oito vezes ionizados, Si VIII e Si IX. Os gf serão calculados utilizando-se um programa do tipo Hartree-Fock Multiconfiguracional Relativístico. Nesse cálculo os parâmetros eletrostáticos são otimizados pela procedura dos mínimos quadrados em relação aos níveis experim…
| 2 | Bolsas no país concluídas |
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