Resumo
Neste trabalho, far-se-á um estudo da obtenção de camadas ultra-finas de Oxinitretos de Silício (SiOxNy) de alta qualidade com espessuras na faixa de 3nm a 10nm, de forma a se obter características elétricas de porta melhoradas, compatíveis com altíssima escala de integração para circuitos integrados (GSI: Giga Scala Integration) e também compatíveis com o processo de fabricação de diodos…