CV Lattes
Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF) (Instituição Sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Possui graduação em Bacharelado em Fisica pela Universidade Federal do Paraná (1985), mestrado em Fisica pela Universidade de São Paulo- Campus de São Carlos (1988) e doutorado em Fisica Aplicada pela Universidade de São Paulo (1992) com bolsa por dois anos no Laboratoire de Physique du Solide e Energie Solaire (LPSES) do CNRS na França. Atualmente é professora titular da Universidade de Brasília. Tem experiência na área de Engenharia Elétrica, com ênfase em Eletrônica Orgânica, atuando principalmente nos seguintes temas: eletrônica orgânica-dispositivos micro e optoeletrônicos orgânicos. (Fonte: Currículo Lattes)
| Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o(a) pesquisador(a) |
| Mais itensMenos itens |
| TITULO |
| Matéria(s) publicada(s) em Outras Mídias ( ): |
| Mais itensMenos itens |
| VEICULO: TITULO (DATA) |
| VEICULO: TITULO (DATA) |
Crescimento por MDC de filmes tensionados de Inx Ga, AS sobre substratos de GaAS (100) perfeitamente orientados e desorientados de alguns graus na direção [TIO]. Os filmes serão caracterizados por fotoluminescência e medida hall. Esses filmes serão utilizados para a fabricação de dispositivos e circuitos eletrônicos (FET, MOD FET, DIODOS, etc.). Com a colaboração dos laboratórios de micro…
Amostra de InxGa1-xAs crescida sobre substratos de GaAs (100) perfeitamente orientados e desorientados de alguns graus (2,3,4, e 6) na direção (I 10), pela técnica de MBE e que foram caracterizados por fotoluminescência (PL), serão agora caracterizados por espectroscopia Raman. Esse tipo de caracterização nos permitirá fazer uma comparação com os resultados de PL e assim concluir sobre o …
| 2 | Bolsas no país concluídas |
| Processos vinculados | |