Resumo
O objetivo deste trabalho é estudar a Física e os processos relacionados com o crescimento epitaxial no sistema de epitaxial por feixes moleculares através da caracterização ótica e elétrica. (AU)
Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física de São Carlos (IFSC) (Instituição Sede da última proposta de pesquisa) País de origem:
Enhenheiro Físico formado pelo Institut National des Sciences appliquées de Toulouse - França (1994). Doutor em Ciência e Engenharia de Materiais pela Universidade de São Paulo (2000) e em Física do Estado Sólido pelo Institut National des Sciences appliquées de Toulouse - França (2001). Tem mais de 15 anos de experiência profisional na área de semicondutores, sendo mais de 10 como engenheiro de Pesquisa & Desenvolvimento em empresas multinacionais na Europa, onde atuou como engenheiro de caracterização, engenheiro de confiabilidade e engenheiro de desenvolvimento tecnológico. Atua hoje na STMicroelectronics como process integration engineer, encarregado do desenvolvimento tecnológico do Middle of Line (salicide & contacts) para o processo de fabricação CMOS 14nm FDSOI. (Fonte: Currículo Lattes)
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