Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF) (Instituição Sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Pablo Ivan Rovira em auxílios à pesquisa e bolsas apoiadas pela FAPESP.
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Este Projeto faz parte do Projeto temático "Tecnologia HBIFET: Processo e Caracterização". A contribuição deste trabalho de mestrado será o crescimento e caracterização de camadas HBT (Transistor Bipolar de Heterojunção) por MBE (Molecular Beam Epitaxy). (AU)
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