Resumo
O presente projeto de pesquisa tem como objetivo principal a confecção de um dispositivo eletroluminescente a partir de pontos quânticos auto-organizados de inas/gaas crescido no plano (311)A, utilizando-se somente o Silício como dopante durante o processo de crescimento por Epitaxia por Feixes Moleculares (MBE). Visando a obtenção do dispositivo, serão determinadas as melhores condições …