CV Lattes
Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF) (Instituição Sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Bacharelado em Física pela Universidade de Brasília (1987), Licenciatura em Ensino de Física pela Universidade de Brasília (1989), Mestrado em Física pela Universidade de São Paulo (1993) e Doutorado em Física pela Universidade de São Paulo (1998). Fez estágios de pós-doutoramento no grupo de ótica do IFSC-USP- São Carlos, Mesoscopic Group da Universidade de Hamburgo - Alemanha, no Laboratório de Novos Materiais Semicondutores da USP-São Paulo e no Centre de Recherche sur les Ions, les Matériaux et la Photonique da Universidade de Caen-França. Em 2020, foi pesquisador visitante na Universidade de Laval, Canadá, trabalhando em ótica não-linear em fibras ópticas. Atualmente é Prof.Titular do Departamento de Física da Universidade Federal de Juiz de Fora atuando na área de Física da Matéria Condensada, particularmente em: 1) espectroscopias óticas, estacionárias e resolvidas no tempo, de materiais vítreos e semicondutores. 2) Física de processos termo-óticos. 3) Aplicação de técnicas físicas para aferir qualidade de alimentos, a saber, leite e derivados. 4) Desenvolvimento de dispositivos para área de alimentos. É Coordenador da Rede Mineira em Ciência e Tecnologia de Leite e Derivados da FAPEMIG e um dos líderes do grupo de Engenharia e Espectroscopia de Materiais (GE2M) da UFJF. Em 2024, passa a ser gerente executivo da Agência Polo do Leite. (Fonte: Currículo Lattes)
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Neste projeto pretendemos calcular espectros Raman eletrônicos de GaN e de poços quânticos de AlGaAs-GaAs dopados seletivamente. Nos nitretos com dopagem tipo-n (bulk) espectros polarizados ressonantes com um gap óptico do material serão obtidos a fim de se estudar a presença de plasmons super-amorteéidos e o acoplamento elétron-fônon sob a presença de desordem estrutural. Para isso serão…
Calcularemos seções de choque Raman de pontos quânticos mesoscópicos. Os espectros deverão ser obtidos em regime de extrema ressonância com o gap fundamental do GaAs. Os cálculos serão efetuados dentro da aproximação de densidade local (TDLDA) para demonstrar que a existência de excitações de partícula independente presentes em espectros polarizados 'e despolarizados se devem à presença d…
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