CV Lattes
Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF) (Instituição Sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Graduado em Licenciatura Plena em Fisica pela Universidade Federal de Uberlândia (2000), mestre em Física pela Universidade de São Paulo (USP-SP) (2003); atualmente trabalho no Instituto de Pesos e Medidas de Uberlândia-MG. Tenho experiência com simulação computacional em cálculos ab initio (cod.: SIESTA e VASP). (Fonte: Currículo Lattes)
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A adsorção e difusão de Ge em Si(100) são processos importantes para o entendimento dos estágios iniciais de crescimento heteroepitaxial. O crescimento de Ge em Si(100) tem atraído muita atenção não só pelo interesse fundamental em se entender crescimento heteroepitaxial do ponto de vista microscópico, mas também devido ao grande interesse tecnológico em ligas de SiGe. Recentemente nós mo…
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