CV Lattes
Centro Universitário FEI (UNIFEI). Campus de São Bernardo do Campo (Instituição Sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Possui graduação em Engenharia da Computação pela Universidade Santa Cecilia (2003), Mestrado (2006) e Doutorado em Engenharia Elétrica pela Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (2010) com período sanduiche no Centro Internacional de Pesquisa em Nano-eletrônica IMEC/Leuven/Bélgica, através da parceria com a Katholieke Universiteit Leuven. Desde 2009, é Professora do Departamento de Engenharia Elétrica do Centro Universitário FEI, onde atua também na coordenação de projetos de Pesquisa e Desenvolvimento em parceria universidade-empresa, fomentados pela Lei de Informática e sob gestão do MCTI (desde 2013). Coordenou o curso de Pós-Graduação da FEI em Engenharia e Manutenção Hospitalar, entre 2020/2021. Exerceu a função de Vice-Reitora de Ensino Digital da UNIFAA, trabalhando na gestão de 27 cursos e 10 polos de ensino entre 2023/2024. Atualmente, também é professora do IBMEC, atuando no MBA em Soluções Tecnológicas para Data Science (2025). (Fonte: Currículo Lattes)
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Este trabalho de iniciação científica tem como objetivo estudar o comportamento térmico de transformadores, para que assim, sejam aprimorados. Serão estudadas as principais características térmicas através de simulações pelo Método de Volumes Finitos (MVF), e também, serão realizadas medidas experimentais. Assim pode-se avaliar se os parâmetros propostos pela simulação trazem resultados q…
Este trabalho de iniciação científica tem como objetivo estudar transistores de potência em especial o IGBT. Serão estudadas suas principais características estáticas e dinâmicas através de simulações numéricas e medidas experimentais. A estrutura física destes transistores também será analisada, a fim de analisar o impacto que variações em sua estrutura podem causar em seu funcionamento …
Neste trabalho de Iniciação Científica o aluno estudará diferentes métodos de caracterização elétrica de transistores MOSFETs fabricados segundo a tecnologia Silício Sobre Isolante (Silicon-On-Insulator - SOI), principalmente os que se referem as espessuras da camada de silício e do óxido de porta. A tecnologia SOI tem demostrado um excelente desempenho quando comparada à tecnologia conve…
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| 3 | Bolsas no país concluídas |
| 5 | Todos os Auxílios e Bolsas |
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