CV Lattes
Centro Universitário FEI (UNIFEI). Campus de São Bernardo do Campo (Instituição Sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
É Professora do Departamento de Engenharia Elétrica do Centro Universitário FEI, desde 2009. Possui experiência na área de Engenharia Elétrica, com ênfase em Microeletrônica, atuando principalmente nas áreas de caracterização elétrica, modelagem e simulação numérica de dispositivos eletrônicos fabricados em tecnologia CMOS. Possui graduação em Engenharia da Computação pela Universidade Santa Cecilia (2003), Mestrado (2006) e Doutorado em Engenharia Elétrica pela Universidade de São Paulo (2010) com período sanduiche no Centro Internacional de Pesquisa em Nano-eletrônica IMEC/Leuven/Bélgica, através da parceria com a Katholieke Universiteit Leuven. Participou de formação pratica na elaboração de componentes CMOS no Institut National des Sciences Appliquées de Toulouse INSA/Toulouse/França em 2002. Foi Pesquisadora Visitante no Centro Internacional de Pesquisa em Nano-eletrônica (IMEC) em 2011. Coordenou o curso de Pós-Graduação em Engenharia e Manutenção Hospitalar, entre 2020/2021. Exerceu a função de Vice-Reitora de Ensino Digital da UNIFAA, trabalhando na gestão de 27 cursos e 10 polos de ensino entre 2023/2024. Coordena projetos de Pesquisa e Desenvolvimento entre Universidade e Empresa com incentivo da Lei de Informática sob gestão do MCTI, desde 2013. (Fonte: Currículo Lattes)
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Este trabalho de iniciação científica tem como objetivo estudar o comportamento térmico de transformadores, para que assim, sejam aprimorados. Serão estudadas as principais características térmicas através de simulações pelo Método de Volumes Finitos (MVF), e também, serão realizadas medidas experimentais. Assim pode-se avaliar se os parâmetros propostos pela simulação trazem resultados q…
Este trabalho de iniciação científica tem como objetivo estudar transistores de potência em especial o IGBT. Serão estudadas suas principais características estáticas e dinâmicas através de simulações numéricas e medidas experimentais. A estrutura física destes transistores também será analisada, a fim de analisar o impacto que variações em sua estrutura podem causar em seu funcionamento …
Neste trabalho de Iniciação Científica o aluno estudará diferentes métodos de caracterização elétrica de transistores MOSFETs fabricados segundo a tecnologia Silício Sobre Isolante (Silicon-On-Insulator - SOI), principalmente os que se referem as espessuras da camada de silício e do óxido de porta. A tecnologia SOI tem demostrado um excelente desempenho quando comparada à tecnologia conve…
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| 3 | Bolsas no país concluídas |
| 5 | Todos os Auxílios e Bolsas |
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