Resumo
A simulação computacional estática será utilizada no estudo de defeitos em óxidos de silício e alumínio, para calcular energias de formação e de ligação, assim como energias associadas aos processos de migração, captura e ionização de portadores de carga. Serão utilizados os programas HADES (Harwell Automatic Defect Evaluation System) e GULP(General Utility Lattice Program). O sucesso da …